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安森美半導體加入imec的矽基氮化鎵研究專案

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XF-News
發佈時間: 2012-10-10 20:23

正文摘要:

氮化鎵具有優異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非常適合於要求高開關能效的功率元件及射頻(RF)元件。如今，基於氮化鎵的功率元件成本過高，不適合大批量製造，因為它們使用非標準生產工藝在小半 ...

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