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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] WD發布BiCS5快閃記憶體技術：112層堆棧、1.33Tb世界最高密度QLC

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sxs112.tw 發表於 2020-1-31 11:30:42 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
WD今天正式宣布了新一代快閃記憶體技術BiCS5，這是WD與Kioxia（原來的Toshiba Memory）聯合開發的，在原有96層堆棧BiCS4基礎上做到了112層堆棧，有TLC及QLC兩種類型，最高核心密度1.33Tb，是目前儲存密度最高的產品。
5th-Gen-BiCS_FLASH_1024x768-1024x768.jpg

WD儲存晶片技術和製造高級副總裁Steve Paak博士表示，在進入下一個十年的時候，一種新型的3D快閃摖液體對持續滿足不斷增長的數據容量及速率的需求至關重要，而BiCS5的成功研發體現了WD在快閃記憶體技術上的領導地位及路線圖的強大執行力。

BiCS5是WD目前最先進、密度最高的3D NAND，通過採用第二代多層儲存孔、改進製程及其他3D NANDg功能等手段顯著提升了儲存晶片的橫向儲存密度，再加上112層縱向堆棧，使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4技術有了明顯提升，容量提升40%，IO性能提升了50%，同時優化了成本。

BiCS5主要有TLC及QLC兩種類型，初期會以512Gb核心的TLC開始量產，後續會提供更多容量選擇，包括最高密度的1.33Tb QLC，預計2020年下半年開始商業化量產。

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