智慧型手機DRAM和記憶體製造商正在研究推出速度更快、效率更高的晶片,以便在設備端AI應用方面脫穎而出,並彌補現有技術遇到的效能限制問題。SK hynix在記憶體製造技術方面已超越三星,該公司表示已開始供應一種新型行動DRAM,該DRAM採用業界首創的塑封材料,旨在解決智慧型手機過熱問題。該公司聲稱最新記憶體晶片的導熱率提高了350%。
SK hynix強調了最新行動DRAM的改進,該公司表示其垂直散熱源的熱阻提高了47%。在某些邏輯板上,行動DRAM堆疊在晶片組晶片的頂部,在高負載下過熱會導致效能下降。大多數智慧型手機製造商選擇這種設計,因為它可以釋放空間,並縮短資料傳輸距離,從而改善DRAM和晶片組之間的資料傳輸。
SK hynix表示採用這種新材料後,搭載這些記憶體晶片的智慧型手機可望在提升效能的同時延長電池續航力。該公司封裝產品開發負責人Lee Gyu-jei稱高K環氧模塑料的使用是一項意義非凡的成就,並表示這種方法將解決旗艦智慧型手機用戶面臨的諸多問題。
這是一項意義深遠的成就,它超越了簡單的性能提升,解決了許多高性能智慧型手機用戶可能遇到的不便。我們致力於憑藉材料技術創新,在下一代行動DRAM市場牢牢確立技術領導地位。
根據韓國先驅報報導SK hynix表示他們透過在二氧化矽中添加氧化鋁,找到了提高導熱性的解決方案。透過將這種新型化合物添加到環氧模塑膠中,能夠實現更好的傳熱效果。目前尚不清楚這些行動DRAM晶片何時能夠投入使用,但如果2026年的旗艦智慧型手機採用這項技術,我們不會感到驚訝。
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