SK hynix宣布HBM4記憶體開發完成,目前已全面投入生產。
新聞稿: SK hynix公司今天宣布已完成用於超高性能AI的下一代記憶體產品HBM4的開發並準備好首次量產。
SK hynix表示該公司已完成開發,並採用此技術成果做好了HBM4量產的準備,以引領AI時代。藉此契機,SK hynix再次證明了其在全球AI記憶體市場的領先地位。
領導HBM4開發的SK hynix HBM開發負責人Joohwan Cho表示:HBM4的開發完成將成為行業新的里程碑。通過及時提供滿足客戶性能、能效和可靠性需求的產品,公司將能夠按時上市並保持競爭地位。
隨著近年來人工智慧需求和資料處理的急劇增長,對高頻寬*記憶體的需求也隨之激增,以實現更快的系統速度。此外隨著資料中心運作功耗的增加,確保記憶體的功率效率已成為客戶的關鍵要求。 SK hynix預計頻寬和功率效率更高的HBM4將成為滿足客戶需求的最佳解決方案。
量產系統已準備就緒的HBM4擁有業界最佳的資料處理速度與能源效率,透過採用2,048個I/O端子,頻寬較上一代翻倍,能源效率提升40%以上。預計該產品應用後,AI服務效能將提升高達69%,進而解決資料瓶頸問題,並大幅降低資料中心的電力成本。
該公司在HBM4中實現了超過10Gbps的運行速度,遠遠超過了JEDEC標準運行速度(8Gbps)。
SK hynix總裁兼AI基礎設施負責人Joon-yong Choi表示:我們正式宣佈建立全球首個HBM4量產系統。HBM4是突破AI基礎設施局限的標誌性轉折點,將成為攻克技術難題的核心產品。他補充說:我們將快速提供AI基礎設施局限的標誌性轉折點,將成為攻克技術難題的核心產品。他補充道:我們將快速提供AI時代所需的最佳品質和多樣化性能的記憶體產品,成長為全棧式工具供應商。
此外該公司在HBM4中採用了已被市場驗證可靠的Advanced MR-MUF製程,以及1bnm製程,即10nm技術的第五代,以最大限度地降低量產風險。
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