Intel 18A製程的SRAM密度與台積電的N2相當；Intel準備強勢回歸

sxs112.tw · 發表於 2025-2-21 10:46:15

據稱Intel 18A的SRAM密度與台積電N2製程相當，這標誌著IFS及其半導體野心取得了重大突破。

現在似乎是對Intel晶片計劃的未來持樂觀態度的時候了，因為最新的報告清楚地表明，勢頭正在轉向Intel。在川普政府的政治支持下，現在透過ISSCC會議（透過 Ian Cutress ）披露，台積電和Intel的尖端製程在SRAM密度方面相互競爭，表明差距至少在一個重要方面已顯著縮小。

過去我們已經多次討論過Intel的18A，但考慮到它的炒作，現在可能是進行深入概述的最佳時機之一。Intel 18A的一個重大成就是利用了BSPDN（背面供電），據說可以將供電過程轉移到晶圓的背面。這是業界首次實現的實現之一，主要提高了電源效率和訊號完整性，標誌著整個製程的重大突破。

據稱Intel 18A高密度版本的密度現已達到38.1Mb/mm²，而且還有大陣列配置。 SRAM單元的不同排列將帶來不同的密度，但總體而言18A製程的情況看起來相當樂觀。然而我們現在當然不應該對Intel的製程做出結論，因為真正的考驗在於晶片生產，以及Intel的成品率如何，因為這很可能是決定性的。

台積電也詳細介紹了其N2製程，顯示由於整合了GAA技術，SRAM密度提高了12%，而高性能SRAM密度更是提高了18%。 N2的主要改進是從傳統的FinFET技術過渡到專用的N2 NanoSheet，與FinFET實現相比，這帶來了更多的製程定制以及更精確的控制。

台積電與Intel的半導體競賽已拉開序幕，看起來競爭將更加激烈，但重要的因素仍然是，一旦進入供應鏈，製程流程將如何進行。

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[業界新聞] Intel 18A製程的SRAM密度與台積電的N2相當；Intel準備強勢回歸

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