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作者: sxs112.tw
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    [儲存裝置] 三星提升QLC快閃記憶體性能：寫入可達320MB/s ，重新超越機械硬碟

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    sxs112.tw 發表於 2021-11-22 20:29:05 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    隨著快閃記憶體的發展，如今廉價大容量的SSD幾乎都要上QLC快閃記憶體了，這讓消費者很不爽，因為QLC快閃記憶體不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒有快取加速的時候，性能甚至跑不過HDD機械硬碟。QLC快閃記憶體性能差是先天性的，如果用光了快取容量空間，現在的QLC快閃記憶體真實寫入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬碟之前有人實測過，拷貝的速度也就160MB/s，這個速度甚至還不如一些HDD機械硬碟快。
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    三星也注意到這個問題了，未來也會重點關注QLC快閃記憶體的性能，目前他們使用的QLC快閃記憶體主要還是96層堆疊的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進入176層的V6 QLC快閃記憶體時代。根據三星所說新一代QLC快閃記憶體性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC快閃記憶體的，相比現在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。

    不考慮快取加速，320MB/s的原始寫入性能已經相當可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬碟，並且跟TLC快閃記憶體一較高下，相關產品預計在明年上市。

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