Intel詳細介紹了用於HBM4和UCIe的EMIB-T先進封裝

sxs112.tw · 發表於 2025-6-1 20:52:47

本週在電子元件技術大會(ECTC) 上，Intel推出了EMIB-T，這是其嵌入式多晶片互連橋接封裝的一項重要升級。 EMIB-T在2025年Intel晶圓代工廠直連大會上首次亮相，它將矽通孔(TSV) 和高功率金屬-絕緣體-金屬電容器融入現有的EMIB結構中。

Intel院士兼基板封裝開發副總裁Rahul Manepalli博士表示這些改進可實現更可靠的電源供應，並增強獨立晶片組之間的通訊。傳統的EMIB設計由於採用懸臂式供電路徑，因此存在電壓降問題。相較之下EMIB-T則透過TSV將電源從封裝基板直接傳輸到每個晶片組連接點。整合電容器可補償快速電壓波動並保持訊號完整性。

這項改進對於HBM4和HBM4e等下一代記憶體至關重要，因為預計透過UCIe‵，每引腳的資料速率將達到或超過32Gb/s。Intel已確認首批EMIB-T 封裝將達到目前約0.25皮焦耳/位元的能源效率，同時提供更高的互連密度。

該公司計劃將凸塊間距減小到目前45微米的標準以下。從2026年開始Intel打算生產尺寸為120 x 120mm採用EMIB的封裝，大約是單一光罩尺寸的八倍。這些大型基板可以整合多達12個高頻寬記憶體堆疊以及多個計算晶片，所有這些都透過20多個EMIB橋連接。

展望未來，Intel預計在2028年將封裝尺寸推至120 x 180mm。這樣的設計可以容納超過24個記憶體堆疊、8個運算晶片以及38個或更多EMIB橋。這些發展與台積電為其CoWoS技術宣布的類似計劃非常相似。

除了EMIB-T之外，Intel還展示了一種重新設計的散熱器，可將熱界面材料中的空隙減少約25％，以及一種新的熱壓粘合製程，可最大限度地減少大型封裝基板的翹曲。

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