PR：SK hynix宣布量產其321層QLC NAND Flash 2Tb儲存解決方案

sxs112.tw · 發表於 2025-8-25 15:08:55

新聞稿： SK hynix今日宣布其321層2Tb QLC NAND快閃記憶體產品已完成開發，並已開始量產。此舉標誌著全球首次採用QLC技術實現超過300層的NAND，樹立了NAND密度的新標竿。該公司計劃在完成全球客戶驗證後，於明年上半年上市該產品。

SK hynix NAND開發負責人表示：隨著量產的啟動，我們顯著增強了高容量產品組合，並確保了成本競爭力。我們將作為全棧AI記憶體供應商，實現重大飛躍，以滿足AI需求的爆炸式增長以及數據中心市場對高性能的要求。

為了最大限度地提升新產品的成本競爭力，SK hynix開發了一款2Tb的設備，其容量是現有解決方案的兩倍。為了解決大容量NAND快閃記憶體可能帶來的效能下降問題，該公司將晶片內的獨立操作單元（Plane）數量從4個增加到6個。這實現了更強大的平行處理能力，並顯著提升了同時讀取效能。

因此與先前的QLC產品相比，321層QLC NAND不僅容量更大，性能也更上一層樓。資料傳輸速度提升一倍，寫入效能提升高達56%，讀取效能提升18%。此外寫入功率效率提升超過23%，增強了低功耗至關重要的AI資料中心的競爭力。

該公司計劃首先將其321層NAND應用於PC SSD，然後再擴展到資料中心的企業級SSD (eSSD) 和智慧型手機的UFS。 SK hynix憑藉其專有的32DP技術（該技術可在單一封裝中同時堆疊32個NAND晶片），旨在透過實現兩倍的整合密度，進軍AI伺服器的超大容量eSSD市場。

消息來源

clouse · 發表於 2025-8-25 23:04:10

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