Intel的關鍵EMIB技術實現了驚人的良率，顯示其已準備好在即將到來的AI資料中心晶片中得到應用。
我們最近討論了人工智慧公司如何將EMIB技術應用於其下一代人工智慧晶片。這項技術的目標很簡單：為台積電的CoWoS技術提供一種經濟高效且可擴展的替代方案。
Intel的先進封裝技術將被Google用於其下一代TPU晶片，NVIDIA也將其用於其下一代Feynman晶片。 GF證券科技研究部的分析師Jeff Pu分享了他對EMIB專案進展的一些見解，初步印象非常好。
據Jeff 透露Intel的EMIB良率已達到90%，這對該公司的晶圓代工業務來說無疑是個好消息，也解釋了為何目前外界對Intel晶圓代工如此充滿信心。 Meta也是EMIB的客戶之一，不過雙方的合作計畫是圍繞著2028年底推出的CPU展開，因此我們還需要一段時間才能獲得更多相關資訊。
同時Intel並未停止宣傳其EMIB技術的優勢。這家晶片製造商再次強調了EMIB（嵌入式多晶片互連橋）的許多好處，包括：提高良率、降低功耗、降低成本，以及使更大規模的混合製程系統成為現實。
在最新發布的影片中，Intel也分享了關於EMIB封裝的一個有趣見解，指出EMIB的良率與FCBGA相當，同時晶片間的互連密度更高。 FCBGA（倒裝晶片球柵陣列）是另一種高性能封裝技術，廣泛應用於各種IP，例如CPU、GPU和其他控制器晶片。 FCBGA晶片透過焊球直接連接到PCB基板，而EMIB則將互連封裝在橋接結構中，從而將多個晶片連接在一起。
目前EMIB技術主要有兩種：EMIB-M和EMIB-T。 EMIB-M橋接電路的設計旨在提高效率，其矽橋接電路中採用MIM電容，透過最大程度地降低雜訊來增強功率傳輸和電路完整性。雖然MIM電容的成本略高於金屬-氧化物-金屬（MOM）電容，但它具有更高的穩定性和更低的漏電。
EMIB-M的打造過程涉及透過晶片組打造高密度3D結構。這些晶片組透過EMIB-M橋接器連接，該橋接器提供高頻寬互連。晶片組的電源繞過橋接器傳輸。
EMIB-T則改變了電源佈線方式，透過整合TSV技術實現了更高的密度擴展。與EMIB-M不同，EMIB-T中的電源可以直接透過EMIB橋接器佈線，而無需繞過橋接器。 EMIB-T的設計旨在滿足高性能AI晶片的需求。
目前EMIB-T晶片的擴展能力已達到光罩尺寸的8倍以上，封裝尺寸為120x120，可容納12個HBM晶片、4個高密度晶片組以及超過20個EMIB-T連接。到2028年，Intel計劃將擴展能力提升至光罩尺寸的12倍以上，封裝尺寸超過120x180，可容納超過24個HBM晶片和超過38個EMIB-T橋接器。
作為對比，台積電預計到2028年將實現14倍光刻技術，最多可整合20個HBM封裝。該公司還擁有用於超大型先進封裝晶片的SoW（晶圓系統）封裝，但其成本遠高於CoWoS。
EMIB的一個關鍵優勢在於它與IP和製程無關，因此您可以容納基於各種IP和各種第三方或內部製程的多個晶片，從而製造出專為頻寬、電源完整性和規模而設計的晶片。
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