三星將於下季購買首台高數值孔徑EUV光刻機，預計2025年底投入商業使用

三星希望在下個季之前添加其首款尖端高數值孔徑EUV光刻設備，從而推動該行業的半導體競賽。

對於晶片製造商來說，高數值孔徑設備的使用現在被視為優質，這家韓國龍頭是最後一家從ASML獲得下一代EUV光刻工具的公司。根據Sedaily的報告三星預計將在下個季或2025年初收到這些設備，從而與其他半導體公司保持一致。

韓國媒體的報導稱三星將接收ASML的Twinscan EXE:5000 High-NA光刻設備，該設備有8nm解析度和13.5nm的EUV光波長。該系統將使晶片製造商能夠生產尺寸縮小1.7倍的晶片，電晶體密度將提高2.9倍。 ASML表示Twinscan EXE:5000有業界最高的生產率，隨著這家韓國龍頭獲得該設備，可以肯定地說我們可以預期該公司的半導體生態系統將取得顯著改進。

據稱三星計劃在該公司的研發華城園區設置第一批高數值孔徑設備，但就我們何時可以預期先進光刻工具的商業實施而言，目前還不確定，因為設置此類設備有其自身的複雜性，但考慮到三星在此過程中沒有遇到任何障礙，我們預計到2025年底，高數值孔徑設備將無法充分利用。

隨著Intel、台積電和三星都能夠使用High-NA，半導體市場從此增長是板上釘釘的事情，據我們所知Intel計劃在其14A製程中使用High-NA，而台積電也計劃在其14A製程中使用High-NA。對於三星來說這一點目前尚未得到證實，但我們預計這家韓國龍頭將遵循行業標準，這讓我們相信第一代2nm製程可能會採用高數值孔徑 (High-NA)。

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