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作者: qxxrbull
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[ASUS 華碩] ASUS TUF GAMING X570-Plus Wi-Fi 測試報告 / 具備超越對手的優質用料設計

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qxxrbull 發表於 2019-8-29 19:45:47 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

ASUS TUF GAMING X570-Plus Wi-Fi  主機板用料解析

前面已講解 ASUS TUF GAMING X570-Plus Wi-Fi  大致上的功能、規格與外觀等設計,接著我們將外殼與散熱片移除,以進一步分析主機板上的用料與電路等細節。


↑ 散熱片移除後,主機板正面一覽。











↑ CPU VRM 供電一覽,供電為 4+2 相供電。PWM 主控採 DIGI+VRM ASP1106GGQW,支援 AMD SVI2 介面標準,本體最高可以支援 4+2 相供電。

在 VCore 方面採用 4 相供電的設計,由 ASP1106GGQW 輸出 4 相 PWM 訊號。MOSFET 採用內部整合 Driver 與上下橋 MOSFET 的 Vishay Dr.MOS VRPower SiC639 共 12 枚,採用 Teamed Power Design 的設計,可推估 VCore 每相具有 3 枚 MOSFET 與電感。

SiC639 單顆可承受達 50A 的 Continuous Current,並且為高整合設計的元件。相較於它廠在相近價格的 X570 主板上採用傳統的分離上下橋與 Driver 的設計來說,在發熱量、效率方面都多少有著優勢。另外雖然相數較少,但每相使用三枚 SiC639 的設計基本上也未必輸給相數較多但每相用料較弱的競品。並且使用 Doubler 達成倍相的作法,也會因為需要經過 Doubler 而導致延遲有所增加,在這方面的確不能單以相數 / Doubler 多寡來直接決定好壞。

而 SoC 供電則是採用 2 相供電,2 相 PWM 訊號均由 ASP1106GGQW 輸出。MOSFET 方面一樣採用高度整合的 SiC639 共兩枚,每相一枚。

在電感方面採用軍規級 TUF 電感。電容方面前段高壓輸入濾波與後方輸出電容均採用鈺邦 MIL 客製化固態電容,提供優異的壽命保障。


↑ 具體 CPU 供電佈局一覽,橘框為 2 相 SoC / 內建 GPU 供電,籃框為 4 相 VCore 供電。


↑ 記憶體 VRM 供電方面為一相供電,MOSFET 採 2HS+2LS 設計,上下橋均採用兩枚力祥 UBIQ QM3054M6。另外下方可見除錯燈,提供玩家遇到無法開機時的診斷依據。


↑ 為了增加訊號的可靠性,USB 3.2 Gen2 採用 GP13EQX ReDriver 晶片。




↑ 有線網路晶片採用為華碩客製化的 Realtek L8200A 1GbE LAN。並具備 TUF LAN 數據汞。




↑ 無線網路方面則是採用 Intel 9626NGW,以 M.2 E-Key 介面與主機板連接。


↑ 環控晶片採用新唐 NUVOTON NCT6798D。


↑ 音效採用 Realtek ALC S1200A 音效晶片,搭配 Nichicon Fine Gold 系列音效專用電容,晶片本身被以金屬蓋遮罩。


↑ BIOS SPI Flash 採用旺宏的 MX25U25645G,容量為 32MB。


↑ AMD X570 晶片組特寫。

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