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紫光公開嵌入式多層SeDRAM記憶體：頻寬、能效遙遙領先

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sxs112.tw
發佈時間: 2023-7-3 21:44

正文摘要:

近日的VLSI 2023技術與電路研討會上，西安紫光國芯公開發表技術論文《採用小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》，展示了西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。 這種記憶體的 ...

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