東芝推出新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(1月17日)宣布推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。

第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量。另外，此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕鬆取代現有的MOSFET。
東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容，往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件，提供客戶更多產品選擇。

應用方面
筆電AC變壓器及遊戲機充電器中的小型電源供應器
照明電源供應器

產品特點
兼具高效率及低雜訊
額定雪崩電流和直流電流相等

主要規格

註：
[1]：TK10A60D與TK750A60F相比較（65W筆記型電腦變壓器在200MHz區域內）。

更多資訊，請參考東芝網站：https://toshiba.semicon-storage.com/tw/top.html