三星宣布量產1GB 28FDS eMRAM顆粒：寫入延遲降低1000倍、節能

由於eFlash所面臨的可擴展性挑戰，新一代eMRAM (嵌入式磁性隨機存取儲存器)應運而生，依靠非易失性、更強的隨機性能和耐久性，因此被業內各家巨頭紛紛看好。作為儲存技術佼佼者，SAMSUNG（三星）總是走在最前面，今天官方宣布開始量產eMRAM，首批eMRAM已在三星京畿道Giheung電子半導體工廠下線。

據了解三星eMRAM採用28nm製程、FD-SOI技術打造，也叫28FDS eMRAM，首批下線顆粒容量為1GB。通過創新28FD-SOI技術可有效減少漏電發生，擁有更好的穩定性，而且可提供差異化定制方案，適用於包括微控制器單元（MCU），物聯網（IoT）和人工智慧（AI）等設備中。

性能方面官方表示寫入延遲比eFlash爆降大約一千倍，而且eMRAM比eFlash具有更好的功耗表現，在斷電模式下幾乎可以做到不消耗電力，從而為設備高效節能。

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