單晶片16GB、410GBps/s頻寬：SAMSUNG發布HBM2E高頻寬記憶體

作為GPU技術大會（GTC）的一部分，Samsung推出了新一代HBM2叫做Flashbolt，我們稱之為高頻寬記憶體（HBM2E）。

使用Flashbolt HBM2，Samsung將數據速率從每引腳2.4 GBit/s提高到3.2 GBit/s，提高了33％。此外記憶體每個晶片的容量為16 GBit。具有八個儲存器層的堆棧擁有16GB的容量和410GB/s的頻寬。

在當前的顯示卡使用HBM2像AMD Radeon RX Vega56和64 以及NVIDIA Titan V  可達到820或1230GB的記憶體頻寬/秒將成為可能。配備四個堆棧（例如NVIDIA Tesla V100或AMD Radeon VII）的卡甚至可以到1.64TB/s。

目前Samsung沒有提供有關Flashbolt HBM2的任何進一步細節。因此沒有提到有關工作電壓的訊息。而且DRAM層的製造技術是未知的。Samsung肯定會在稍後提供更多細節。

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