SK Hynix宣布已經成功研發出新一代DRAM“HBM2E”,可視為HBM2的增強版,擁有業界最高的傳輸頻寬,相比現在的HBM2提升了大約50%,同時容量也翻了一倍。
SK Hynix的HBM2E每個針腳傳輸速率為3.6Gbps,搭配1024-bit位元頻寬的話可以提供超過460GB/s的超高頻寬,無可比擬。AMD Radeon VII顯示卡曾經率先實現1TB/s的顯示記憶體頻寬,但應用了4096-bit的記憶體頻寬,如果換成HBM2E總頻寬可以輕鬆超過1.8TB/s。另外同時得益於TSV矽通孔技術,HBM2E可以最多垂直堆疊八顆16Gb,單顆封裝總容量因此可達16GB,是目前的兩倍。
SK Hynix表示,超高頻寬的HBM2E可用於工業4.0、高階GPU顯示卡、超級計算機、機器學習、AI人工智慧等各種尖端領域。而且不同於傳統DRAM必須單獨封裝、佔用主機板面積,HBM可以與GPU晶片、邏輯晶片等整合封裝在一起,彼此距離可以做到僅僅幾個微米,大大節省整體面積,也能保證更快的數據傳輸。
SK Hynix未透露HBM2E何時量產出貨,看樣子還要等一段時間。
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