Micron全球首發176層3D快閃記憶體：首先採用TLC

Micron剛剛宣布了其第五代3D NAND技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是Micron、Intel在快閃記憶體合作上分道揚鑣之後，自己獨立研發的第二代3D NAND。

Micron、Intel合作時，走的是浮動栅极(floating gate)單元架構，獨立後轉向電荷捕獲(charge-trap)單元架構，第一代為128層堆疊，但更多的是過渡性質，用來發現、解決新架構設計的各種問題。正因如此Micron全新176層堆疊快閃記憶體所取代的其實是96層堆疊。

據了解Micron 176層快閃記憶體其實是採用兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb(64GB)，當然後期很可能會加入QLC。

得益於新的快閃記憶體架構和堆疊技術，Micron將176層的厚度壓縮在了45㎛，基本和早期的64層浮動柵極3D NAND差不多。這樣即使在一顆晶片內封裝16個Die，做到1TB的單顆容量，厚度也不會超過1.5mm，可以輕鬆放入智慧手機、記憶卡。

傳輸速率提高至1600MT/s，而此前96/128層的都是1200MT/s，讀寫延遲相比96層改進35％，相比128層改進25％，混合負載性能相比96層改進15％ 。Micron表示176層快閃記憶體已經量產出貨，並用於一些Crucial品牌的消費級SSD，明年還會發布更多新產品，但沒有確認具體產品型號。

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