SK hynix將在ISSCC 2022上討論24GB 896GB/s HBM3和27Gbps GDDR6

這家韓國公司第三次更新了其開發中的HBM3規格。

去年10月SK hynix透露它將推出一個速度為820GB/s的12-Hi（層）HBM3 DRAM，並在ISSCC 2022（IEEE 國際固態電路會議）上亮相。細節尚不清楚，但會話的標題已經確認了速度和記憶體配置。它也是12層HBM3 DRAM，容量為196Gb (24GB)。這將透過TSV（through silicon via）自動校準和機器學習優化來實現。還不清楚的是這種類型的記憶體紙上原型，還是SK hynix打算推動大規模生產的東西。

SK hynix的第一個HBM3規格擁有5.2Gbit/s每個引腳 (665GB/s) 的數據速率，但僅在幾個月後更新了23%至6.4Gbit/s (819GB/s)。最新的7Gbit/s記憶體將比10月21日曝光的HBM3提供額外10%的升級。

此外該公司還計劃討論採用T-coil的27 Gbps GDDR6，並擁有Merged-MUX TX、優化的WCK操作和替代數據匯流排。這樣的記憶體甚至比三星的24Gbps還要快，三星現在正在提供樣品。SK hynix的記憶體容量為16Gb，與三星的GDDR6和Micron的GDDR6X容量相同。

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