一雪漏電、發熱前恥 三星3nm、4nm製程大幅升級換代PK台積電

於晶圓代工市場，台積電保持著絕對的領先地位，而三星則迫切希望有朝一日能與台積電平起平坐甚至逆轉超前。

據悉，三星將於6月11日至16日在日本舉行的超大規模積體電路研討會（VLSI Symposium）中公布新一代製程，即第二代3nm與第四代4nm製程。

之前，三星4nm製程口碑不佳，代表晶片Exynos 2200、驍龍8 Gen 1、驍龍7 Gen 1等皆出現了發熱、高頻低能等問題，遠不如同期的台積電4nm製程。

三星SF3即3nm GAP製程，作為改良版的第二代，號稱較SF4（4nm EUV LPP）於相同功耗下效能提升22%、邏輯面積縮小21%、相同電晶體與時脈下能效高34%。

SF3的潛在產品據稱會是Exynos 2500與驍龍8 Gen 4，最快2024年推出。

至於第四代4nm製程，名為SF4X，號稱較SF4（第二代4nm製程）效能提升10%、能效提升23%，主推高效能運算場景，看來有望爭奪NVIDIA、AMD GPU的訂單。

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