AMD 3D V-Cache RAM可提供超過182GB/s和175GB/s的讀寫速度

AMD的3D V-Cache技術利用堆疊在CPU邏輯晶片（CPU核心所在的位置）頂部的SRAM區塊，並允許處理器存取應用程式的大量高速快取。然而使用這個額外的L3 快取作為RAM磁碟似乎是可能的，其中L3 SRAM的行為與儲存磁碟機類似。這裡需要聲明的是這只能透過將L3給CrystalDiskMark測試來實現，而現實世界中的應用程式無法以CrystalDiskMark的方式做到這一點。

根據X/Twitter用戶Nemez (@GPUsAreMagic) 的說法，複製此過程的步驟是：使用有3D V-Cache的AMD Ryzen CPU，安裝OSFMount並打造FAT32格式的RAM 磁碟，然後使用3DiskMark，並將CrystalDiskMark值設定為value SEQ 256 KB，隊列深度1，線程16，資料填充為0，而不是隨機。

這個實驗的結果？它們看起來相當令人驚嘆，因為L3 SRAM的本質是記憶體雖小但速度非常快並且可由CPU訪問，因此它可以幫助在進入系統RAM之前在本地加載資料。這邊使用AMD Ryzen 7 5800X3D，此RAM磁碟的讀取速度超過182GB/s，寫入速度超過175GB/s。在Albert Thomas (@ultrawide219)分享的另一項測試中，我們設法看到採用AMD Ryzen 7800X3D V-Cache的RAM磁碟，其得分略低，讀取速度超過178 GB/s，寫入速度超過163GB /s。同樣CrystalDiskMark僅在 16MiB到32MiB之間的分配上執行這些測試，因此現實世界中還沒有工作負載能夠利用它。

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