日本Nikon宣布全新ArF浸沒式光刻機：精度小於2.1nm、價格便宜30％

Nikon宣布將於2024年1月正式推出ArF 193nm浸沒式微影機NSR-S636E，生產效率、套刻精度都會有進一步提升。

據悉Nikon這款曝光機採用增強型iAS設計，可用於高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1nm。解析度小於38nm，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33mm。比較目前型號，它的整體生產效率可提高10-15％，創下Nikon光刻設備的新高，每小時可生產280片晶圓，停機時間也更短。

Nikon還表示在不犧牲生產效率的前提下，新光刻機可在需要高重叠精度的半導體製造中提供更高的性能，尤其是先進邏輯和記憶體、CMOS影像感光元件、3D快閃既體等3D半導體製造，堪称最佳解决方案。

另據了解新光刻機的光源技術是20世紀90年代就已經成熟的i-line，再加上相關零件、技術的成熟化，價格將比競品便宜20-30％左右。不過目前尚不清楚Nikon這款光刻機能製造多少nm的晶片。

日本Nikon、Canon與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經是光刻機三巨頭，但因為點錯了科技樹，沒有跟上ASML的193nm浸沒式光刻技術，逐漸沒落，尤其是在EUV極紫外光刻技術上毫無建樹。為了生存，Nikon、Canon基本上放棄了對尖端光刻技術的角逐，更專注於難度更低、價格更低的成熟製程光刻設備。

但他們也並非一無是處，例如Canon研發了奈米壓印技術(NIL)，無需EUV就能製造5nm晶片。

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