(PR)三星開始量產第9代V-NAND：2024年下半年3.2Gbps、QLC速度提升33%

三星宣布量產第9代V-NAND快閃記憶體，較第8代V-NAND提升33%。

首先TCL NAND將於本月開始量產，QLC預計下半年量產。另據報導第9代V-NAND將有290多層，但三星官方並未證實這一點。

新聞稿：全球先進儲存技術領導者三星電子今天宣布其one-terabit (Tb) 三級單元 (TLC) 第九代垂直NAND (V-NAND) 已開始量產，鞏固了其NAND快閃記憶體市場的領導地位。

憑藉著業界最小的單元尺寸和最薄的模具，三星將第9代V-NAND的位元密度比第8代V-NAND提高了約50%。避免單元干擾和延長單元壽命等創新技術已應用於提高產品品質和可靠性，同時消除虛擬通道孔顯著減小了儲存單元的平面面積。

此外三星先進的通道孔蝕刻技術展示了該公司在製程能力方面的領先地位。該技術透過堆疊模具層打造電子通道，並最大限度地提高製造生產率，因為它能夠在雙層結構中同時鑽孔業界最高的單元層數。隨著細胞層數的增加，穿透更多細胞的能力變得至關重要，這需要更複雜的蝕刻技術。

第9代V-NAND配備了下一代NAND快閃記憶體介面Toggle 5.1，支援將資料輸入/輸出速度提高33%，達到每秒3.2 gigabits-per-second（Gbps）。除了這個新介面之外，三星還計劃透過擴大對PCIe 5.0的支援來鞏固其在高性能SSD市場的地位。

與上一代相比，透過低功耗設計的進步，功耗也降低了10%。隨著減少能源使用和碳排放對客戶變得至關重要，三星的第9代V-NAND預計將成為未來應用的最佳解決方案。三星已於本月開始量產1Tb TLC第9代V-NAND，隨後將於今年下半年量產四級單元 (QLC) 型號。

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