近日儲存大廠美光正式發布1γ(gamma)10nm級DRAM記憶體之後,已經開始向Intel、AMD等客戶交付1γ DDR5記憶體的樣品,成為存儲行業第一家達成這一里程碑的企業。
據報導在交付的1γ DDR5記憶體的樣品中,美光僅使用了一層EUV極紫外光刻,目的是透過減少EUV的使用,來加速量產先進製程記憶體,並降低成本投入。值得一提的是,RAM記憶體產業的製程一直不標註具體nm數值,而是1a、1b、1c,或1α、1β、1γ這樣的順序,其中1a比較接近20nm,1γ則接近10nm。
1γ記憶體這是美光記憶體第一次用上EUV極紫外光刻製程。相較美光,三星、SK Hynix在記憶體技術發展上則更依賴EUV。 三星自2020年起在DRAM記憶體生產中採用EUV,並計畫在其第6代1c的10nm級DRAM記憶體中採用超過5個EUV光刻層。 而SK Hynix也在2021年導入EUV光刻技術,並計畫在下一代1c的10nm級DRAM中採用類似策略。
根據美光的說法先前在1α(1-alpha)和1β(1-beta)DRAM製程的領先優勢,1γ DRAM製程的這一新里程碑將推動從雲端、工業、消費應用到端側AI設備(如AI PC、智慧型手機和汽車)等未來運算平台的創新發展。
美光1γ DRAM製程將首先應用於其16Gb DDR5記憶體,並計劃逐步整合至美光記憶體產品組合中。
其中16Gb DDR5記憶體的資料傳輸速率可達9200MT/s( 4600MHz x 2),與前代產品相比,速率提升高達15%,功耗降低超過20%。單片晶圓的容量密度產出較上一代提升30%以上。目前AMD、Intel均已開始對1γ記憶體的技術驗證。
消息來源
|