隨著台積電退出市場，Infineon將開始生產300nm GaN晶圓

Infineon宣布其氮化鎵 (GaN) 功率半導體生產進展順利，並確認其300mm晶圓廠將於2025年第四季向客戶交付樣品。這家德國半導體製造商成為第一家成功將300 mm GaN晶圓技術整合到其現有大批量生產基礎設施中的公司，與傳統200mm相比，每片晶圓的晶片良率提高了2.3倍。根據Yole Group的分析，Infineon計劃利用預計36%的年市場成長率，預計到2030年GaN功率應用的市場規模將達到25億美元。事實證明這一時機有特別重要的戰略意義，因為台積電已宣布計劃在兩年內關閉其GaN生產線並拆除設施，這將造成巨大的市場真空。

新的聲明解決了一個基本的行業挑戰：擴大GaN產量，同時保持與晶圓替代品的成本競爭力。Infineon的整合裝置製造商 (IDM) 模式提供從晶圓製造到最終產品交付的完整製程控制，從而實現公司預期的同類晶圓裝置和GaN裝置之間的成本平價。 GaN業務線負責人Johannes Schoiswohl強調規模化的300mm製程充分利用了Infineon現有的基礎設施投資，同時支援新興應用的快速產能擴張，包括人工智慧系統電源、汽車充電系統和工業馬達控制。台積電策略性地退出GaN製造領域表明該公司的重點仍然放在高利潤的邏輯處理器上，而像Infineon這樣的專業功率半導體公司則將主導不斷擴張的GaN市場。在這個市場中GaN卓越的功率密度、開關速度和散熱性能使其比傳統的晶圓解決方案有顯著的系統級優勢。

消息來源