記憶體之後快閃記憶體也遇瓶頸 三星QLC被曝有品質疑慮

三星多年來是全球最大的DRAM記憶體供應商，亦為最大的NAND快閃記憶體供應商，然而近兩年來的發展並不太順利。

記憶體晶片方面，從DDR5時代就開始被SK海力士逆襲，HBM記憶體更是落後於SK海力士，以致於連續兩季被SK海力士超越，保持了二三十年的記憶體一哥讓位了。

快閃記憶體方面，其它廠商現在都開始量產300層以上的TLC、QLC了，三星則被爆出QLC出狀況。其第九代V9快閃記憶體做到了280層堆棧，去（2024）年4月即開始量產，首批是TLC快閃記憶體，核心容量做到了1Tb。

2024年9月開始量產V9 QLC快閃記憶體了，但是被爆出有品質缺陷，效能、延遲皆有問題，全面量產V9 QLC快閃記憶體至少延後到2026年上半年。

三星的旗艦QLC快閃記憶體依然停留在V7這一代，V8這一代亦未有QLC類型快閃記憶體。

QLC快閃記憶體容量更大，成本亦更低一些，因此是AI時代最受歡迎的快閃記憶體，需求較TLC要高，三星關鍵時候出差錯，對其營收與市佔顯然會很不利。

於QLC快閃記憶體方面，SK海力士依然是目前的記錄，8月宣布第一個量產300+層的QLC快閃記憶體，達到了321層，並且已經開始量產，而且介面速度倍增，寫入效能提升了56%，讀取效能亦提升了18%。

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qlc根本垃圾資料容易毀損