SK Hynix第二代3Gb DDR5 A-Die晶片曝光；新的AKBD Bin原生速度可達7200MT/s

新一代SK Hynix DDR5記憶體已在網路上浮出水面，據報導其以X021標記和新的AKBD零件代碼來辨識。

最新的SK Hynix DDR5記憶體晶片可能即將問世，我們剛剛看到TeamGroup的Kevin Wu在Facebook群組Clock'EM UP上發布了一款晶片。該晶片標有X021標記，零件代碼為AKBD。

SK Hynix尚未就新款3Gb DDR5 A-Die正式發布任何消息，但發布的圖片為我們提供了有關即將推出的晶片的一些線索。根據SK Hynix的命名慣例，EB、GB和 HB等字母組合分別對應4800、5600和6400MT/s的JEDEC速度。因此新的KB名稱很可能延續了這種模式，並指向7200MT/s的速度，Kevin也在回覆中證實了這一點。

儘管如此，考慮到根據Intel的記錄計劃，Arrow Lake Refresh和Panther Lake CPU預計也將支援7200MT/s的DDR5速度，這與Intel未來的平台路線圖相符。這比 Raptor Lake的DDR5-5600和Arrow Lake的DDR5-6400標準有了顯著提升。這意味著新的A-Die晶片可能成為即將推出的Intel處理器的下一代高頻記憶體套件的基礎。

不過一位用戶指出由於該模組似乎使用了8層PCB，因此可能會影響高記憶體速度下的穩定性。 SK Hynix似乎已經生產了類似的早期/初始樣品，但為了維持高速，8層PCB即便採用了較新的A-Die IC，也難以維持8000MT/s以上的速度。因此限制因素不一定是晶片本身，而是底層PCB的訊號完整性和功率傳輸限制。

高階DDR5 RAM套裝通常使用10層PCB，有時甚至使用12層PCB，以獲得更高的記憶體速度，因為訊號路徑更清晰。我們已經看到許多發燒友突破了12,000MT/s 的記錄，最近甚至正式超過了13,000MT/s的記錄。因此記憶體製造商需要將10層/12層PCB與新的A-Die AKBD晶片搭配使用，才能真正受益於最新的晶片。

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