台積電將採用光罩護膜，而不是轉向高數值孔徑EUV機器，並用於1.4nm、1nm先進製程

較新的2nm製程可繼續利用台積電現有的EUV微影機進行量產，並提高良率。但隨著這家台灣半導體龍頭向1.4nm和1nm（也稱為A14和A10）等2nm以下製程邁進，它將面臨製造方面的障礙。現在透過購買ASML先進的高數值孔徑EUV微影機可以輕鬆解決這個問題，但一份新報告指出台積電將不再購買ASML光刻機，而是轉向光罩護膜。

2nm晶圓預計2025年底全面投產，之後台積電將最終過渡到1.4nm製程。該公司已為邁向先進製程奠定了基礎，預計於2028年左右開始量產。台積電初期投資高達1.5兆新台幣（約490億美元），目前正以閃電般的速度推進，在新竹工廠啟動1.4nm製程的研發，並購置了30台EUV光刻機。

然而台積電拒絕採取的一項措施是購買ASML高數值孔徑EUV微影機，單一售價4億美元。然而這台設備將確保以更高的良率可靠地生產1.4nm和1nm晶圓。該公司可能認為這台設備的價值與其實際價值不符，因此根據Dan Nystedt和商業時報報導，台積電正在轉向光罩護膜。在2nm製程必須使用防護膜，以防止灰塵和其他顆粒污染製程。

同樣這是一個代價高昂的措施，並且伴隨著許多複雜因素。例如使用標準EUV機器生產1.4nm和1nm晶圓時，需要更多曝光，這意味著需要頻繁使用光掩模才能成功，這可能會影響良率。在此階段必須使用防護膜，以防止上述灰塵顆粒和污染物進入晶圓製造階段。

台積電可能會堅持這種做法，因為它認為相比於每台高數值孔徑EUV微影機4億美元的投入，這是一個值得的替代方案。高數值孔徑EUV光刻機的另一個缺點是，ASML每年只能生產5到6台，而台積電據稱將購買30台標準EUV光刻機，以滿足包括蘋果在內的眾多客戶日益增長的需求，因此花費巨額資金購買數量有限的光刻機，對於其長期目標而言，無疑是徒勞的。

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