三星推出新型NAND快閃記憶體，耗電量降低96%，這正是智慧型手機所需要的

三星在下一代DRAM和NAND快閃記憶體的研發方面擁有強大的實力，據報導該公司將在明年的CES消費電子展上展示其最新的LPDDR6技術。然而這家韓國龍頭在開發一種新型NAND快閃記憶體方面取得了驚人的成就，該快閃記憶體的功耗降低了96%。簡而言之人工智慧資料中心、智慧型手機和其他應用的記憶體需求正在快速成長，隨著這種爆炸性成長，NAND快閃記憶體的功耗閾值也將顯著提高。如果這項新技術能夠盡快投入量產，那麼它正是業界所需要的。

由34位研究人員共同撰寫的題為用於低功耗NAND快閃記憶體的鐵電晶體管的論文發表在世界知名學術期刊Nature上。這項研究始於氧化物半導體，根據Sedaily報告，由於氧化物半導體的閾值電壓較高，因此不適用於高性能晶片。幸運的是研究人員在這項特性中發現了一線希望，它有望成為降低NAND快閃記憶體（隨著層數增加和容量增加）功耗的關鍵。

透過阻斷低於閾值電壓的電流，可以控制漏電流並提高電源效率。 NAND快閃記憶體採用單元串結構，其中儲存資料的單元串聯連接。隨著單元數量的增加，功耗也會增加。原因之一是即使單元開關關閉，仍會發生漏電流。此外隨著層高的增加，讀寫操作的功耗也會增加。

研究人員發現了這些缺點，並提出了一種機制，使NAND快閃記憶體的功耗比傳統記憶體晶片降低高達96%。報告並未提及這項新技術何時能夠商業化，但一旦投入量產，其能源效率優勢將惠及所有用戶。目前我們只能等待UFS 5.0晶片 應用於智慧型手機和其他行動運算設備，同時祈禱三星不會遇到任何未公開的難題。

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