20nm里程碑，GF開始安裝3D堆疊工藝相關設備

20nm里程碑，GF開始安裝3D堆疊工藝相關設備
　　Intel的3D電晶體工藝已經開始量產，IBM、三星、GF參與的通用技術聯盟在三、四年後的14nm節點才會啟用三柵極電晶體電路，但是GF也不是沒有絕招，他們在官網宣佈了另一項3D工藝里程碑，將在未來的3D堆疊工藝上保持領先。

3D堆疊工藝被視為傳統積體電路的替代者

　　位於紐約州薩拉托加城鎮的Fab 8晶圓廠正在安裝一種特殊的工具，它可以用來製造TSVs晶圓（Through-silicon via，貫通型晶圓通道），有助於GF在未來的20nm工藝節點繼續保持領先地位。TSV技術主要用來製造多層堆疊晶片，可以滿足未來電子設備的苛刻需求。
　　簡單來說，TSV技術可以在晶圓上蝕刻出垂直的空洞，並用銅填充，堆疊的電路就可以借助這些銅線互相連接。舉例來說，TSV允許設計人員在處理器電路層上堆疊一層記憶體電路，這樣一來處理器和記憶體的連接將是晶片級的，可以極大地提高記憶體頻寬並減少功耗，這對智慧手機和平板來說至關重要。
　　3D堆疊工藝被視為傳統積體電路的替代者，它的優勢和意義不亞於Intel的3D電晶體工藝。除了工藝自身的難題之外，對新型晶片封裝技術要求也很高，晶圓廠和合作夥伴必須提供端對端的一體式解決方案才能滿足要求。
　　Fab 8是GF旗下最先進的晶圓廠，主要致力於32/28nm及以下工藝的研究和生產，首個使用TSV技術的Full-flow晶圓將在2012年第三季度開始運轉。
(文/超能網)