SK Hynix今年量產36層堆疊的3D NAND，還有16nm TLC快閃記憶體

四大NAND豪門中，三星在2014年制霸全球SSD市場，Intel、閃迪、美光、東芝也位列前五，唯獨SK Hynix位列第十，SSD營收比希捷、西數還低。不僅是快閃記憶體，就連記憶體產業，SK Hynix也被三星遠遠甩在了後面，現在SK Hynix準備奮發圖強，今年量產36層堆疊的3D NAND快閃記憶體，還有16nm工藝的TLC快閃記憶體，DRAM記憶體也加速推進後10nm工藝。

三星這兩年獲得更高的NAND及DRAM份額主要是靠技術推動，他們去年就率先量產了V-NAND技術的3D快閃記憶體，三星之外的其他公司要到今年才開始生產。SK Hynix表示他們去年成功開發了24層堆疊的3D快閃記憶體，今年也準備大規模量產3D快閃記憶體了，首次量產的則是36層堆疊的3D快閃記憶體，今年底還會準備48層堆疊的3D快閃記憶體量產工作。

三星量產的V-NAND快閃記憶體是32層堆疊的，不過今年下半年也準備量產48層堆疊的，Intel/美光系公佈的3D NAND快閃記憶體也是32層堆疊的，更多堆疊的也在研究之中了。東芝、閃迪也在日本四日市新建Fab 2工廠，預計2016年才會大規模量產3D快閃記憶體。

除了3D快閃記憶體，SK Hynix也會繼續加強傳統的平面快閃記憶體，很快會推出16nm TLC快閃記憶體，並在Q2季度將TLC快閃記憶體產能提升到10%的比例，今年底達到40%的比例。此外，Q3季度他們還會推出16nm TLC快閃記憶體的SSD，並會把TLC SSD的比例提升到20-30%。

記憶體方面，三星的20nm工藝已經大規模量產了，SK Hynix還需要不斷提升產品。位於韓國京畿道省利川市的M14 DRAM晶圓廠已進入最終階段，半導體設備已經備貨了，預計從年底開始運營。一旦開始正式生產，其產能將達到每月1.5萬片晶圓。

不過SK Hynix在技術上還有點落後，他們預計要到明年6月份才能提供後10nm工藝的DRAM樣品，而三星已經準備量產後10nm工藝DRAM記憶體了。

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