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作者: wu.hn8401
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    [儲存裝置] SK Hynix將量產全球堆疊層數最多的3D NAND快閃記憶體:72層

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    wu.hn8401 發表於 2016-12-27 11:10:26 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
    除工廠升級之外,SK Hynix還將推出新一代3D NAND快閃記憶體,堆疊層數將從目前的36、48層提升到72層,一舉超過三星、美光及東芝新一代64層堆疊3D快閃記憶體,預計在明年下半年正式量產。

    SK Hynix將量產全球堆疊層數最多的3D NAND快閃記憶體:72層 - XFastest - 3dnand_017.jpg

    3D快閃記憶體相比普通2D快閃記憶體具備很多優勢,包括性能、可靠性之外,最重要的就是它可以提高快閃記憶體容量,進一步降低成本,理論上堆疊層數越多,3D快閃記憶體容量就越大,優勢也越明顯。之前在超能課堂(36):3D NAND快閃記憶體是什麼,引中國廠商競折腰?一文中,我們也簡單介紹了什麼是3D快閃記憶體及四大豪門當前主要的3D快閃記憶體規格。

    SK Hynix將量產全球堆疊層數最多的3D NAND快閃記憶體:72層 - XFastest - spec.png

    2016年上半年各NAND廠商代表性的3D快閃記憶體規格及堆疊層數
    三星發展3D NAND快閃記憶體最早,目前已經推出了三代V-NAND快閃記憶體,最高堆疊層數是48層,下一代3D快閃記憶體是64層堆疊,今年底開始量產。東芝/西數則是BiCS類型的3D快閃記憶體,堆疊層數是48層,下一代也是64層堆疊,美光/Intel的3D快閃記憶體進度最晚,堆疊層數也是32層,下一代則會提升到64層堆疊,美光在新加波的10X晶圓廠年底將會量產64層堆疊快閃記憶體。

    SK hynix的3D快閃記憶體發展了兩代了,32層堆疊的算是實驗性的,今年11月份正式量產48層堆疊的3D快閃記憶體。不過根據韓聯社的消息,SK Hynix的下一代3D快閃記憶體也在路上了,2017年上半年完成晶片設計,2017年下半年正式量產,生產廠就是去年才建成的利川市M14晶圓廠。

    從層數上來看,SK Hynix如果明年真的能順利量產72層3D快閃記憶體,那麼他們的堆疊能力就超過了其他三家,後者明年的3D快閃記憶體還是64層堆疊的,不過三星此前已經提到了96層堆疊的3D快閃記憶體,早已在研發中,只是尚未有確定的量產時間表。

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