SK Hynix將量產全球堆疊層數最多的3D NAND快閃記憶體：72層

除工廠升級之外，SK Hynix還將推出新一代3D NAND快閃記憶體，堆疊層數將從目前的36、48層提升到72層，一舉超過三星、美光及東芝新一代64層堆疊3D快閃記憶體，預計在明年下半年正式量產。

3D快閃記憶體相比普通2D快閃記憶體具備很多優勢，包括性能、可靠性之外，最重要的就是它可以提高快閃記憶體容量，進一步降低成本，理論上堆疊層數越多，3D快閃記憶體容量就越大，優勢也越明顯。之前在超能課堂(36)：3D NAND快閃記憶體是什麼，引中國廠商競折腰？一文中，我們也簡單介紹了什麼是3D快閃記憶體及四大豪門當前主要的3D快閃記憶體規格。

2016年上半年各NAND廠商代表性的3D快閃記憶體規格及堆疊層數
三星發展3D NAND快閃記憶體最早，目前已經推出了三代V-NAND快閃記憶體，最高堆疊層數是48層，下一代3D快閃記憶體是64層堆疊，今年底開始量產。東芝/西數則是BiCS類型的3D快閃記憶體，堆疊層數是48層，下一代也是64層堆疊，美光/Intel的3D快閃記憶體進度最晚，堆疊層數也是32層，下一代則會提升到64層堆疊，美光在新加波的10X晶圓廠年底將會量產64層堆疊快閃記憶體。

SK hynix的3D快閃記憶體發展了兩代了，32層堆疊的算是實驗性的，今年11月份正式量產48層堆疊的3D快閃記憶體。不過根據韓聯社的消息，SK Hynix的下一代3D快閃記憶體也在路上了，2017年上半年完成晶片設計，2017年下半年正式量產，生產廠就是去年才建成的利川市M14晶圓廠。

從層數上來看，SK Hynix如果明年真的能順利量產72層3D快閃記憶體，那麼他們的堆疊能力就超過了其他三家，後者明年的3D快閃記憶體還是64層堆疊的，不過三星此前已經提到了96層堆疊的3D快閃記憶體，早已在研發中，只是尚未有確定的量產時間表。

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