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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 三星:QLC來了、大容量NGSFF SSD、超低延遲Z-SSD V2

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sxs112.tw 發表於 2017-8-9 11:53:31 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
三星作為半導體行業老大,為了保持自身的優勢也是操碎了心,今天就發布了關於未來儲存產品的一些規劃。明年三星將會量產單晶片1Tb(128GB)容量V- NAND快閃記憶體顆粒,年底量產16TB的NGSFF SSD,系統反應時間更快的Z-SSD,全新的Key Value SSD。
三星:QLC來了、大容量NGSFF SSD、超低延遲Z-SSD V2 - XFastest - 1TB-V-NAND_main_1.jpg
三星3D垂直快閃記憶體V-NAND量產於2013年,至今也有四年多的歷史,憑藉這個三星才得以走在其他公司前列中。目前V-NAND已經發展到第四代,已經開始批量生產64層堆疊的256Gb(64GB)V-NAND快閃記憶體顆粒,更快的傳輸速率、更低的功耗、更快反應時間都是V-NAND型快閃記憶體所追求的。

三星宣布明年將會準備量產單晶片1Tb的V-NAND快閃記憶體顆粒,那麼目前的第四代已經是64層堆疊才能達到256Gb容量,明年量產的第五代依靠的是什麼?沒錯,就是你們不願意見到的QLC,也就是一個Cell裡面儲存4bit的訊息,容量提高了,帶來的副作用就是速度、壽命的下降。我們希望明年三星的QLC產品可以有一個比較合理的容量、性能、壽命。

在伺服器上,三星為其準備了NGSFF (Next Generation Small Form Factor) 規格SSD,主要是適用於1U的伺服器上,可以提高了伺服器儲存數據容量和IOPS。我們都知道M.2 SSD標準有個規範名字叫NGFF,那麼NGSFF是不是意味著尺寸更小,其實反而更胖了,具體規格為30.5mm x 110mm x 4.38mm,第一批NGSFF SSD將會在今年第三季出貨。

在去年引入Z-NAND之後,三星推出了第一款Z-SSD產品SZ985,Z-SSD採用的3D V-NAND晶片擁有"獨特的電路設計",同時搭配經過調整的控制器,能夠提供遠超其它V-NAND SSD的速度表現,延遲水平僅相當於其它V-NAND SSD的四分之一。第二代的Z-NAND延遲將會更低,適用於數據密集型環境,例如大數據分析、充當高性能伺服器的快取緩衝部分。相比普通NVMe SSD,Z-SSD可以減少12倍系統延遲。

最後三星還提到就會有一個全新技術產品Key Value SSD,專攻大數據解決方案。砍掉了不必要的硬體層,減少多餘的訪問步驟,使得應用程式可以直接訪問到快閃記憶體顆粒,提高效率,並且可以提供SSD讀寫性能、容量。

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