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作者: wu.hn8401
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[處理器 主機板] 三星宣佈11nm新工藝:7nm全面上極紫外光刻

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wu.hn8401 發表於 2017-9-30 12:13:03 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
雖然一再強調自己的xxnm工藝才是最精確的,比如同樣標稱10nm,自己要比三星、台積電的領先整整一代,但是沒辦法,人家的腳步要快得多。今天,三星電子又宣佈了新的11nm FinFET製造工藝“11LPP”(Low Power Plus),並確認未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。三星11LPP工藝不是全新的,而是14nm、10nm的融合,一方面採用10nm BEOL(後端工藝),可以大大縮小晶片面積,另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素。

三星於2016年10月投產10LPE(10nm Low Power Early),並已準備好即將投產10LPP(10nm Low Power Plus),主要為智慧手機製造晶片,14nm工藝則針對主流、低功耗和緊湊型晶片。

下一步,三星還會增加14LPU、10LPU版本。

11LPP工藝將填補三星14nm、10nm之間的空白,號稱可在同等電晶體數量和功耗下比14LPP工藝提升15%的性能,或者降低10%的功耗,另外電晶體密度也有所提高。
三星計畫2018年上半年投產11LPP工藝。

未來,三星還一路準備了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工藝,其中7nm 7LPP版本會全面融合EUV極紫外光刻,確認2018年下半年試產。

另有報導稱,在那之前的明年上半年,三星會首先在8LPP工藝的特定層上使用EUV。

三星表示,2014年以來,已經使用EUV技術處理了接近20萬塊晶圓,取得了豐碩成果,比如256Mb SRAM的良品率達到了80%。

三星宣佈11nm新工藝:7nm全面上極紫外光刻 - XFastest - ca1a672793bce2e.jpg


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