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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] HBM3/DDR5記憶體技術參數首次公開:均採用7nm打造

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sxs112.tw 發表於 2017-12-7 14:17:56 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
曾經的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5和HBM3的技術參數。
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德媒ComputerBase報導稱,Rambus的規劃顯示,HBM3採用7nm製程製造,頻寬高達4GT/s,封裝架構更加複雜。按照單晶片1024bit頻寬,速度就可以實現512GB/s到1TB/s,也就是比HBM2直接翻了兩番。至於DDR5,設計目標I/O頻寬6.4Gbps,總頻寬51.2GB/s,頻率4800~6400MHz,預取位元數16bit,均比DDR4翻番。

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其實在今年9月,Rambus就號稱在實驗室搞定了第一塊完整的DDR5驗證產品,電壓還只有1.1V。然而必須指出的是,至少在整個2018年,HBM3/DDR5的影子都不會見到,最快最快也需要2019年。Rambus到底是用PPT嚇人還是真有幾把刷子,那就不得而知了。只希望這種技術出來以後,不要再憑藉專利去到處“咬人”,而且當年Intel因為硬上Rambus RDRAM被結結實實坑了一把。

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