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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] 三星開始限量生產第二代10nmDDR4記憶體,提高生產力和性能

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sxs112.tw 發表於 2017-12-20 15:09:09 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
三星電子今天宣布,開始量產業界首款、採用第二代10nm製程(1y-nm)等級的DRAM晶片。需要注意的是,這裡並不是10nm,預計是14~18nm之間。
三星開始限量生產第二代10nmDDR4記憶體,提高生產力和性能 - XFastest - Samsung_1y-nm_DDR4_1024x768a-1024x768.jpg
其中單晶片容量8Gb(1GB)。相較1x-nmm,製程層面上,性能提升10%,功耗和封裝面積減小,效能提升15%。同時頻寬3600Mbps起(可以理解為DDR4-3600),也比1x-nm時代的DDR-3200進步。1y-nm製程,三星沒有引入EUV,而是通過加入高靈敏度的單元數據感測系統和減少氣隙實現。

與此同時,三星表示也會進一步加快依賴DRAM技術的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形態儲存晶片的開發工作。目前AMD/Intel已經驗證通過1y-nm記憶體。當然對於普通消費者來說,此舉還意味著,1x-nm以及更老的製程的記憶體成本和最終價格將有望下探。

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