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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] Roadmap:2021年3D-NAND應該可以達到140層堆疊

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sxs112.tw 發表於 2018-5-14 18:57:16 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
Sean Kang應用材料公司的在日本的International Memory Workshop(IMW)上介紹了未來幾代3D NAND。Roadmap清楚地表明:3D NAND的堆疊可以達到140層以上。同時他們應該更薄。
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大約五年前,第一款3D NAND出現了; 三星的第一代V-NAND有24層。在下一代中使用了32層,然後是48層。目前大多數廠商已經達到64層,SK則是72層。

今年下一代將被預告。路線圖提到了超過90層,這意味著比以前增加了40%以上。同時儲存堆棧(堆棧)的高度應該會從4.5μm增加到大約5.5μm,並且因此僅增加大約20%。

Toshib和Western Digital計劃今年大規模生產新的96層BiCS4儲存晶片,並宣布他們將在2017年底前發布此晶片。而Sean Kang預估在2020年3D堆棧的層數會到120層,2021年會超過140層。

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