SK Hynix首款128-Layer 1Tb 4D TLC NAND晶片量產開始，176-Layer的NAND正在開發中
SK Hynix推出了業界密度最高的NAND TLC快閃記憶體，容量為1Tb。與傳統的96層版本相比，採用專有4D NAND技術的128層NAND快閃記憶體可將每個晶圓的生產率提高40％。此外從96層遷移到128層所需的成本比先前的遷移減少了60％，這使得可以廠商可以提供更便宜和更大容量的NAND快閃記憶體。此次公佈的產品工作電壓為1.2V，數據傳輸速率為1,400 Mbps，目標是高階行動終端和高階SSD。該公司計劃在2020年初向主要智慧手機製造商提供與UFS 3.1相容的產品。
在2020年SK Hynix還計劃發布一款帶有SK Hynix控制器和韌體的2TB SSD，以及一台用於DATACENTER的32TB NVMe SSD。此外176層4D NAND快閃記憶體的開發已在進行中。
消息來源
頁:
[1]