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作者: sxs112.tw
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    [儲存裝置] SK Hynix首款128-Layer 1Tb 4D TLC NAND晶片量產開始，176-Layer的NAND正在開發中

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    sxs112.tw 發表於 2019-6-26 16:59:47 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    SK Hynix推出了業界密度最高的NAND TLC快閃記憶體，容量為1Tb。與傳統的96層版本相比，採用專有4D NAND技術的128層NAND快閃記憶體可將每個晶圓的生產率提高40％。此外從96層遷移到128層所需的成本比先前的遷移減少了60％，這使得可以廠商可以提供更便宜和更大容量的NAND快閃記憶體。
    128TLC_1024x768a-1024x768.jpg

    此次公佈的產品工作電壓為1.2V，數據傳輸速率為1,400 Mbps，目標是高階行動終端和高階SSD。該公司計劃在2020年初向主要智慧手機製造商提供與UFS 3.1相容的產品。
    128TLC_1024x768b-1024x768.jpg

    在2020年SK Hynix還計劃發布一款帶有SK Hynix控制器和韌體的2TB SSD，以及一台用於DATACENTER的32TB NVMe SSD。此外176層4D NAND快閃記憶體的開發已在進行中。


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