sxs112.tw 發表於 2011-5-13 22:49:19

滿足高速設備需求，三星Toggle DDR 2.0介面快閃記憶體晶片投產

日前，三星電子正式宣佈，全球首款採用Toggle DDR 2.0高速介面的MLC NAND快閃記憶體晶片將正式投產。

首批三星新快閃記憶體晶片將採用20nm級別的製程，容量為64Gb（8GB）。據稱，Toggle DDR 2.0介面可以讓快閃記憶體晶片的讀寫頻寬提升至400Mbps，DDR 1.0介面標準僅有133Mbps，而SDR NAND快閃記憶體則更低為40Mbps。
消息來源:Expreview

author 發表於 2011-5-13 23:24:53

抓耙仔的東西.. :soso

knighter9999 發表於 2011-5-13 23:44:59

:-O:soso:@....

craftoscar 發表於 2011-5-14 00:27:24

NADA FLASH應用層面之廣

400Mbps的I/O確實較有競爭力:P..

x61055t 發表於 2011-5-14 19:04:02

:@....:@....:@....
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