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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] 滿足高速設備需求,三星Toggle DDR 2.0介面快閃記憶體晶片投產

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sxs112.tw 發表於 2011-5-13 22:49:19 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
日前,三星電子正式宣佈,全球首款採用Toggle DDR 2.0高速介面的MLC NAND快閃記憶體晶片將正式投產。
滿足高速設備需求,三星Toggle DDR 2.0介面快閃記憶體晶片投產 - XFastest - samsung_64g_mlc_nand_toggle.jpg
首批三星新快閃記憶體晶片將採用20nm級別的製程,容量為64Gb(8GB)。據稱,Toggle DDR 2.0介面可以讓快閃記憶體晶片的讀寫頻寬提升至400Mbps,DDR 1.0介面標準僅有133Mbps,而SDR NAND快閃記憶體則更低為40Mbps。
消息來源:Expreview

author 發表於 2011-5-13 23:24:53 | 顯示全部樓層
抓耙仔的東西..
knighter9999 發表於 2011-5-13 23:44:59 | 顯示全部樓層
craftoscar 發表於 2011-5-14 00:27:24 | 顯示全部樓層
NADA FLASH應用層面之廣

400Mbps的I/O確實較有競爭力
x61055t 發表於 2011-5-14 19:04:02 | 顯示全部樓層
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