MRAM技術的硬碟容量只有1-2GB，但150萬I​​OPS隨機性能炸裂

NAND快閃記憶體是目前非易失性儲存晶片中的主流，雖然這一年來的漲價、缺貨讓不少消費者、廠商揪心，但是大家也沒有別的選擇。在新一代儲存晶片技術中，MRAM（磁阻隨機存取儲存器）被業界看好，因為它同時具備SRAM的快速及非易失性快閃記憶體的特點，只不過目前的MRAM大部分還處在研發階段，並沒有真正上市。Everspin公司日前宣布將於今年Q2上市採用MRAM技術的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬碟，別看容量才1-2GB，但是4K隨機性能高達150萬IOPS，延遲只有6微秒，遠遠高於目前的企業級SSD。

目前MRAM技術大都是採用ST（Spin-transfer torque，自旋鈕轉換）技術，Everspin公司的nvNITRO硬碟也不例外，它採用該公司的256Mb DDR3 ST-MRAM晶片打造，目前實現的容量是1GB和2GB，分別使用32顆、64顆ST-MRAM晶片，接口則是PCI-E 3.0 8x，HHHL半高半長規格，支援NVMe標準。

官方通告中沒有提及隨機讀寫速度，只給出了4K QD=32隨機性能高達150萬I​​OPS，延遲則只有6微秒，這個指標放在高階企業級SSD中也是非常強悍的，Aanandtech網站給出的兩個例子就是Intel最強企業級硬碟DC P3700延遲有20微秒，HGST企業級SSD Ultrastar SN260硬碟隨機性能也不過120萬IOPS。

根據Everspin公司所說，他們預計Q2正式推出nvNITRO硬碟，會有U.2、M.2等其他規格的產品，容量也會涵蓋512MB到8GB範圍。除此之外，今年晚些時候他們還會推出採用DDR4界面的1Gb ST-MRAM晶片，硬碟容量可以達到4-16GB了。

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