SK Hynix 1Ynm DDR4晶片研製完成：8Gb容量、功耗減少15%

11月12日消息SK Hynix宣布研發完成採用1Ynm製程的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM晶片。該晶片最高支援3200Mbps，即3200MHz頻率，號稱可以提供最佳的性能和容量密度。

技術指標方面相較於1Xnm，1Ynm晶片的生產率提高了20%，功耗降低了15%。SK Hynix還表示，新的1Ynm晶片還顯著提高了精準度、調整了電晶體管結構，使得數據傳輸的出錯率降低。官方稱1Ynm DDR4 DRAM將於明年一季出貨，率先用於伺服器和PC產品上，最後向手機等領域推廣。

在儲存晶片從20+nm進入10+nm製程之後，廠商對製程的描述已經不再使用具體的數字了，20nm之後是1x nm製程，再往後則是1y nm製程，還有1z nm製程的說法，至於XYZ具體的含義，由於每家公司的製程並不一樣，所以缺少詳細的解釋。

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