WD發布UFS 3.0 EU511：96層3D快閃記憶體，750MB/s速度

今年的智慧手機除了會升級處理器之外，儲存晶片也會升級到最新標準，行動記憶體LPDDR5標準才被JEDEC組織正式公佈，快閃記憶體也會從UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0，讀寫速度堪比SSD（隨機還不行）。WD公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式快閃記憶體EU511，支援UFS 3.0，最大容量512GB，使用了96層堆棧3D NAND，讀取速度可達750MB/s，是前代的兩倍，如此高速的性能將為未來的5G設備提供更好的體驗。

WD去年底就宣布量產96層堆棧的3D NAND了，這次推出的iNAND EU511嵌入式快閃記憶體也是96層堆棧的，雖然WD官方沒有公佈具體類型，但不太可能是QLC，應該還是3D TLC，因為今年1月底Toshiba也發布了UFS 3.0，就是96層堆棧3D TLC，兩家公司推新一代產品的步驟是差不多的。

WD的EU511支援UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規範，而UFS 3.0單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向頻寬的理論最高值就是23.2Gbps，大約是2.9GB/s。容量方面，iNAND EU511最低64GB，最高512GB，而且憑藉WD的SmartSLC Generation 6技術使得讀取速度達到了750MB/s，官方表示連續讀取性能是前代的兩倍。

WD iNAND EU511目前已經開始給OEM客戶出樣。

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