Samsung開發出第3代10nm級DDR4記憶體：導入EUV技術、下半年量產

3月21日Samsung宣布開發出業內首款採用第三代10nm級製程的DRAM記憶體晶片，將用於高階應用場景，這距離Samsung量產1y nm 8Gb DDR4記憶體晶片僅過去16個月。第三代10nm級製程即1z nm（在記憶體製造中，用x/y/z指代，製程區間是10~20nm），整合了EUV光刻技術，單晶片容量8Gb(1GB)。

Samsung表示1z nm是業內目前最頂尖的製程，生產效率較1y nm提升了20%，可以更好地滿足日益增長的市場需求。量產時間敲定在今年下半年，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領域是下一代企業級伺服器和2020年的高階PC產品。

Samsung還表示將在平澤市（Pyeongtaek）提高DRAM的產能，同時上述先進技術還將應用於未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產品上。不過就在昨天（3月20日），Samsung聯席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出，由於智慧機市場增長乏力，數據中心公司削減投資，公司的儲存晶片等零部件業務預計將面臨艱難一年。

消息來源