IBM宣布已經製造出全球首顆2nm EUV晶片

5月6日消息IBM宣布造出了全球第一顆2nm製程的半導體晶片。核心指標方面，IBM稱該2nm晶片的電晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆電晶體管）為333.33，幾乎是台積電5nm的兩倍，也比外界預估台積電3nm製程的292.21 MTr/mm2要高。

換言之在150mm2也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆電晶體管。實際上IBM此前也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）晶片的廠商，在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。

回到此次的2nm上，採用的是GAA（環繞柵極電晶體管）技術，IBM介紹這是第一次使用底介電隔離通道，它可以實現12nm的柵長，其內部間隔是第二代設計，有助於Nanosheets的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。需要注意的是IBM並沒有自己的晶圓廠，2014年其製造工廠賣給了GlobalFoundries，但兩者簽署了10年合作協議，另外IBM也和三星、Intel保持合作。

關於GAA晶體管技術，三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。

消息來源

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