美光推出232層3D TLC NAND閃存 初始容量1Tb，2022年末量產

美光宣布，將推出業界首款232層的3D TLC NAND閃存。目前美光已準備在在2022年年末開始生產新款232層3D TLC NAND閃存芯片，併計劃將其用在包括固態硬盤在內的各種產品上。

據TomsHardware報導，美光的232層3D NAND閃存芯片採用了CuA架構，使用NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。CuA架構疊加新技術可以大大減小1Tb 3D TLC NAND閃存的芯片尺寸，這有助於降低成本，使得美光可以更積極地為搭載這些芯片的產品定價，或者提高產品的利潤。

美光的科技和產品執行副總裁Scott DeBoer表示，正在和第三方主控芯片的開發人員密切合作，不但提供對232層3D NAND閃存芯片的支持，而且能確保對主控芯片與閃存芯片之間的優化，這一直是美光垂直產品整合的重要組成部分，以便搭建圍繞數據中心和客戶端固態硬盤產品。

美光暫時還沒有公佈232層3D NAND閃存芯片的具體參數，不過似乎會比現有的3D NAND閃存性能要更好一些，以適應下一代支持PCIe 5.0固態硬盤的需求。美光還表示，新款芯片的能耗也更低一些，這可能與其註重移動領域的應用有關。

由於量產時間是在2022年年末，預計搭載232層3D NAND閃存芯片的產品將會在2023年出現。

消息來源