Intel 4 製程技術同功耗下 20% 效能提升 2025 年重回領先地位

Intel 於年度 VLSI 國際研討會，公布 Intel 4 製程的技術細節。相較於上一代 Intel 7，Intel 4 於相同功耗下能夠提升 20％ 以上的效能，高效能元件庫（library cell）的密度則是 2 倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括 PC 客戶端的 Meteor Lake，並推進先進技術和製程模組，帶領英特爾 2025 年重回製程領先地位。



Intel 4 於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critical Dimension），持續朝向微縮的方向前行，並同時導入設計技術偕同最佳化，縮小單一元件的尺寸。透過 FinFET 材料與結構上的改良提升效能，Intel 4 單一 N 型半導體或是 P 型半導體，其鰭片數量從 Intel 7 高效能元件庫的 4 片降低至 3 片。綜合上述技術，使得 Intel 4 能夠大幅增加邏輯元件密度，並縮減路徑延遲和降低功耗。

Intel 7 已導入自對準四重成像技術（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP）和主動元件閘極上接點（Contact Over Active Gate、COAG）技術來提升邏輯密度。前者透過單次微影和兩次沉積、蝕刻步驟，將晶圓上的微影圖案縮小 4 倍，且沒有多次微影層疊對準的問題；後者則是將閘極接點直接設在閘極上方，而非傳統設在閘極的一側，進而提升元件密度。Intel 4 更進一步加入網格布線方案（gridded layout scheme），簡單化並規律化電路布線，提升效能同時並改善生產良率。

隨著製程微縮，電晶體上方的金屬導線、接點也隨之縮小；導線的電阻和線路直徑呈現反比，該如何維持導線效能抑是需要克服的壁壘。Intel 4 採用新的金屬配方稱之為強化銅（Enhanced Cu），使用銅做為導線、接點的主體，取代 Intel 7 所使用的鈷，外層再使用鈷、鉭包覆；此配方兼具銅的低電阻特性，並降低自由電子移動時撞擊原子使其移位，進而讓電路失效的電遷移（electromigration）現象，為 Intel 3 和未來的製程打下基礎。



將光罩圖案成像至晶圓上的最重要改變，可能是在於廣泛的使用 EUV 來簡化製程。英特爾不僅在現有良好解決方案中的最關鍵層使用 EUV，而且在 Intel 4 的較高互連層中使用 EUV，以大幅度減少光罩數量和製程步驟。其降低製程的複雜性，亦同步替未來製程節點建立技術領先地位及設備產能，Intel 將在這些製程更廣泛地使用 EUV，更將導入全球第一款量產型高數值孔徑（High-NA）EUV 系統。

預測不可能2025重回製程領先地位

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