三星宣佈11nm新工藝：7nm全面上極紫外光刻

雖然一再強調自己的xxnm工藝才是最精確的，比如同樣標稱10nm，自己要比三星、台積電的領先整整一代，但是沒辦法，人家的腳步要快得多。今天，三星電子又宣佈了新的11nm FinFET製造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，並確認未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。三星11LPP工藝不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面採用10nm BEOL(後端工藝)，可以大大縮小晶片面積，另一方面則沿用14nm LPP工藝的部分元素。

三星於2016年10月投產10LPE(10nm Low Power Early)，並已準備好即將投產10LPP(10nm Low Power Plus)，主要為智慧手機製造晶片，14nm工藝則針對主流、低功耗和緊湊型晶片。

下一步，三星還會增加14LPU、10LPU版本。

11LPP工藝將填補三星14nm、10nm之間的空白，號稱可在同等電晶體數量和功耗下比14LPP工藝提升15％的性能，或者降低10％的功耗，另外電晶體密度也有所提高。
三星計畫2018年上半年投產11LPP工藝。

未來，三星還一路準備了9nm、8nm、7nm、6nm、5nm工藝，其中7nm 7LPP版本會全面融合EUV極紫外光刻，確認2018年下半年試產。

另有報導稱，在那之前的明年上半年，三星會首先在8LPP工藝的特定層上使用EUV。

三星表示，2014年以來，已經使用EUV技術處理了接近20萬塊晶圓，取得了豐碩成果，比如256Mb SRAM的良品率達到了80％。

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