三星電子宣佈世界首款DDR4記憶體開發完成

今天三星電子宣佈，世界首款DDR4 DRAM記憶體的發開已經完成，現在正在使用30nm的製程進行樣品生產。據三星方面介紹，這次他們生產的是世界上首款DDR4 DRAM記憶體，屬於UDIMM類型(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules，無緩衝雙通道記憶體模組)，運行頻率為2133MHz，工作電壓為1.2V，採用30nm製程製造，容量為2GB。

據稱，三星這款DDR4記憶體還採用了來自高階記憶體的POD（Pseudo Open Drain，虛擬開漏極）技術，在讀寫時漏電率僅DDR3記憶體晶片的一半，功耗減少40%。在記憶體歷史上，首款DDR、DDR2和DDR3的記憶體均由三星出品，這次三星繼續保持了這個記錄，希望最終的產品不會讓大家失望。