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今天三星電子宣佈,世界首款DDR4 DRAM記憶體的發開已經完成,現在正在使用30nm的製程進行樣品生產。據三星方面介紹,這次他們生產的是世界上首款DDR4 DRAM記憶體,屬於UDIMM類型(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules,無緩衝雙通道記憶體模組),運行頻率為2133MHz,工作電壓為1.2V,採用30nm製程製造,容量為2GB。

據稱,三星這款DDR4記憶體還採用了來自高階記憶體的POD(Pseudo Open Drain,虛擬開漏極)技術,在讀寫時漏電率僅DDR3記憶體晶片的一半,功耗減少40%。在記憶體歷史上,首款DDR、DDR2和DDR3的記憶體均由三星出品,這次三星繼續保持了這個記錄,希望最終的產品不會讓大家失望。 |